Sumbangan 15 hb September 2024 – 1 hb Oktober 2024 Mengenai pengumpulan sumbangan

Методы исследования полупроводников

Main
Technique - Experiments, Instruments & Measurements
Методы исследования полупроводников

Методы исследования полупроводников

Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И.

0 / 0

Sukakah anda buku ini?

Bagaimana kualiti fail ini?

Muat turun buku untuk menilai kualitinya

Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?

Kategori:

Technique - Experiments, Instruments & Measurements

Tahun:

1988

Penerbit:

Выща школа (Киев)

Bahasa:

russian

Halaman:

232

ISBN 10:

5110002304

ISBN 13:

9785110002304

Fail:

DJVU, 3.12 MB

IPFS:

,

russian, 1988

Baca dalam Talian

Penukaran menjadi sedang dijalankan

Penukaran menjadi gagal

Mungkin anda berminat

Воробьев Ю.В. и др. — Методы исследования полупроводников

Ситанов Д.В. — Методы исследования материалов и структур

Фистуль В.И. — Введение в физику полупроводников

Кожевников, Д. Г. (авт.) — Физика твердого тела

Шульгинов, А. А. — Физика твердого тела

Левинштейн М.,Е., Симин Г.С. — Знакомство с полупроводниками

Бочкарева Л. В. — Физика полупроводников и полупроводниковых приборов

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Знакомство с полупроводниками

Коллектив авторов — Квантовая физика: Учебно-методическое пособие к лабораторным работам по физике 45, 47, 50, 52, 55, 147, 150, 151, 155

Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В. — Физические основы микро- и наноэлектроники: Методические указания по выполнению лабораторных работ

А.В. Пауткина, Л.М. Касименко, С.М. Кокин, С.В. Мухин, В.А. Никитенко, В.А. Селезнёв — Квантовая физика: Учебно-методическое пособие к лабораторным работам по физике 45, 47, 50, 52, 55, 147, 150, 151, 155

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Охотин А.С. и др. — Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей

Костылев С.А., Шкут В.А. — Электронное переключение в аморфных полупроводниках

Овечкин Ю. А. — Полупроводниковые приборы

Ригер Е.Р. — Физика полупроводников: Сборник лабораторных работ

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника

Плотников П.Г., Плотникова Л.В., Успенская М.В. — Изучение полупроводников в курсе физики твердого тела

Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. — Измерения параметров полупроводниковых материалов

Ткачева Т.М. — Основы полупроводниковой техники и ее применение в автотранспортном комплексе

Якунин А.Г. — Основы электроники

Шульгинов А.А., Кожевников Д.Г. — Физика твёрдого тела

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника. Учебное пособие

Гаркуша Ж.М. — Основы физики полупроводников

Владимирова Л. Н., Бормонтов Е. Н., Петраков В. И. — Определение удельного сопротивления полупроводников четырехзондовым методом

Саврук Е. В. — Физика полупроводников

Жаренова С. В. Прокошева Н. С. Шаманская Е. Л. — Физика твёрдого тела : методические указания к лабораторным работам по физике.

Плотников П.Г., Плотникова Л.В., Успенская М.В — Изучение полупроводников в курсе физики твердого тела: Учебное пособие

Королёв А.А., Курашова С.А — Физика твёрдого тела. Методические рекомендации по выполнению лабораторных работ. Часть 1

Павленко Н.А., Сагайдачная Е.А., Чертов А.Н — Физические основы построения оптико-электронных приборов. Методические указания к выполнению лабораторных работ

сост. : В. Л. Серебренников, Е. В. Миронов, И. А. Логинов. — Общая физика. Изучение температурных зависимостей электросопротивлений металлов и полупроводников

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Знакомство с полупроводниками

Коллектив авторов — Физические основы микроэлектроники

Коллектив авторов — Материалы электронных средств : лабораторный практикум

Левинштейн М. Е., Симин Г. С. — Знакомство с полупроводниками

Агеев О.А. и др. — Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин

Istilah utama

измерения

носителей

полупроводника

напряжения

сопротивления

электронов

измерений

зависимости

поверхности

определения

напряжение

проводимости

температуры

сопротивление

магнитного

определяется

зависимость

величина

импульса

концентрации

позволяет

полупроводников

параметров

поглощения

величины

удельного

измерение

излучения

определить

рекомбинации

установки

контактов

величину

состояний

релаксации

значения